Transistorer - IGBT - Single
Rekommenderade tillverkare
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) driver energieffektiva innovationer, vilket ger kunderna möjlighet att minska den globala energianvändningen. Företaget erbjuder en omfattande portfölj av energieffektiv kraft- och signalhantering, logik, diskreta och anpassade lösningar för att hjälpa designin...detaljer
-
HGTG20N60A4
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivning:IGBT 600V 70A 290W TO247
-
FGA30N65SMD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivning:IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
-
ISL9V5045S3ST
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivning:IGBT 480V 51A 300W D2PAK
-
HGTG30N60B3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivning:IGBT 600V 60A 208W TO247
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Den 1 april 1999 blev Siemens Semiconductors Infineon Technologies. Ett dynamiskt, mer flexibelt företag som är inriktat på framgång i den konkurrenskraftiga, ständigt föränderliga världen av mikroelektronik. Infineon är en ledande global designer, tillverkare och leverantör av ett brett s...detaljer
-
IRGB4620DPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivning:IGBT 600V 32A 140W TO220
-
IGW25T120FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivning:IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
-
IKY40N120CS6XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivning:IGBT 1200V 40A TO247PLUS
-
IHW20N135R5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivning:IGBT 1350V 40A 288W TO247
- IXYS Corporation
- - IXYS Corporation erbjuder en bred rad High Power Semiconductors, inklusive Power MOSFET-enheter med låg motståndskraft, Ultra Fast Switching IGBT, Fast Recovery Diodes (FRED), SCR- och Diodmoduler, Likriktarbroar och Power Interface IC. detaljer
-
IXBH16N170A
IXYS Corporation
Beskrivning:IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
-
IXYH75N65C3H1
IXYS Corporation
Beskrivning:IGBT 650V 170A 750W TO247
-
IXBH20N300
IXYS Corporation
Beskrivning:IGBT 3000V 50A 250W TO247
-
IXBA14N300HV
IXYS Corporation
Beskrivning:REVERSE CONDUCTING IGBT
- LAPIS Semiconductor
- - ROHM grundades i Kyoto, Japan, 1958. ROHM konstruerar och tillverkar halvledare, integrerade kretsar och andra elektroniska komponenter. Dessa komponenter hittar ett hem i den dynamiska och ständigt växande marknaden för trådlös, dator, fordons- och konsumentelektronik. Några av de mest inno...detaljer
-
RGTH80TS65GC11
LAPIS Semiconductor
Beskrivning:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
-
RGT80TS65DGC11
LAPIS Semiconductor
Beskrivning:IGBT 650V 70A 234W TO-247N
-
RGTH60TS65GC11
LAPIS Semiconductor
Beskrivning:IGBT 650V 58A 197W TO-247N
-
RGS00TS65DHRC11
LAPIS Semiconductor
Beskrivning:ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) erbjuder en omfattande portfölj av halvledar- och systemlösningar för flyg- och försvars-, kommunikations-, datacenter och industrimarknader. Produkterna innefattar högpresterande och strålningshärdade analoga blandade signaler integrerade kretsar, FPGA,...detaljer
-
APT25GN120BG
Microsemi
Beskrivning:IGBT 1200V 67A 272W TO247
-
APT45GP120BG
Microsemi
Beskrivning:IGBT 1200V 100A 625W TO247
-
APT100GN120B2G
Microsemi
Beskrivning:IGBT 1200V 245A 960W TMAX
-
APT43GA90B
Microsemi
Beskrivning:IGBT 900V 78A 337W TO-247
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics är ett globalt oberoende halvledarföretag och är ledande inom utveckling och leverans av halvledarlösningar inom mikroelektronik. En oöverträffad kombination av kisel- och systemkompetens, tillverkningsstyrka, Intellectual Property (IP) -portfölj och strategiska partner p...detaljer
-
STGB14NC60KT4
STMicroelectronics
Beskrivning:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
-
STGWA25H120DF2
STMicroelectronics
Beskrivning:IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
-
STGW30NC60WD
STMicroelectronics
Beskrivning:IGBT 600V 60A 200W TO247
-
STGWA40N120KD
STMicroelectronics
Beskrivning:IGBT 1200V 80A 240W TO247